Polisiliciul este un material țintă important pentru pulverizare.Utilizarea metodei de pulverizare cu magnetron pentru a pregăti SiO2 și alte pelicule subțiri poate face ca materialul matricei să aibă o rezistență optică, dielectrică și la coroziune mai bună, care este utilizat pe scară largă în ecranele tactile, în industria optică și în alte industrii.
Procesul de turnare a cristalelor lungi este de a realiza solidificarea direcțională a siliciului lichid de jos în sus, treptat, controlând cu precizie temperatura încălzitorului în câmpul fierbinte al cuptorului cu lingouri și disiparea căldurii materialului termoizolant și Viteza cristalelor lungi de solidificare este de 0,8 ~ 1,2 cm/h.În același timp, în procesul de solidificare direcțională, se poate realiza efectul de segregare al elementelor metalice din materialele de siliciu, majoritatea elementelor metalice pot fi purificate și se poate forma o structură uniformă a granulelor de siliciu policristalin.
Turnarea polisiliciului trebuie, de asemenea, să fie dopată în mod intenționat în procesul de producție, pentru a modifica concentrația de impurități acceptoare din topitura de siliciu.Principalul dopant al polisiliciului turnat de tip p din industrie este aliajul principal de siliciu bor, în care conținutul de bor este de aproximativ 0,025%.Cantitatea de dopare este determinată de rezistivitatea țintă a plachetei de siliciu.Rezistivitatea optimă este de 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, iar concentrația corespunzătoare de bor este de aproximativ 2 × 1014cm-3。 Cu toate acestea, coeficientul de segregare al borului în siliciu este de 0,8, ceea ce va arăta un anumit efect de segregare în procesul de solidificare direcțională, că este, elementul de bor este distribuit într-un gradient pe direcția verticală a lingoului, iar rezistivitatea scade treptat de la partea de jos spre partea de sus a lingoului.
Ora postării: 26-iul-2022